CAPACIDAD 2TB FACTOR DE FORMA M.2 2280 RENDIMIENTO DE LECTURA SECUENCIAL 5150 MB/S RENDIMIENTO DE ESCRITURA SECUENCIAL 4.850 MB/S LECTURA ALEATORIA 650 000 IOPS ESCRITURA ALEATORIA 770.000 IOPS INTERFAZ PCIE GEN4 X4 GARANTIA LIMITADA DE 5 A?OS RESISTENCIA (TBW) 900 DIMENSIONES (L X AN X AL) 3 16 X 0 87 X 0 09 PESO 5 7 GRAMOS NUMERO DE MODELO WDS200T4B0E TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO DE 0 ?C A 85 ?C TEMPERATURA DE NO FUNCIONAMIENTO -40?C A 85?C CERTIFICACIONES : BSMI CAN ICES-3(B)/NMB-3(B) CE FCC KCC MARRUECOS RCM TUV UL VCCI CARACTERISTICAS DEL PRODUCTO ?PROVECHE LA IA Y OPTIMICE SU FLUJO DE TRABAJO CON LA POTENCIA COMBINADA DE PCIE GEN 4 Y WESTERN DIGITAL NCACHE 4.0 ?AMBIE SIN PROBLEMAS ENTRE APLICACIONES Y PROYECTOS CON LA TECNOLOGIA DE ALMACENAMIENTO NVME DE ALTA GAMA ?REE CON CONFIANZA Y CON UNA RESISTENCIA RESISTENTE PARA IDEAR DISE?AR Y FINALIZAR SU TRABAJO CREATIVO. COMPATIBILIDAD ?EQUIERE PUERTO M.2 2280 ?A COMPATIBILIDAD PUEDE VARIAR SEGUN LA CONFIGURACION DEL HARDWARE Y EL SISTEMA OPERATIVO DEL USUARIO.
