ESPECIFICACIONES CAPACIDAD 1 TB INTERFAZ PCIE ?4 DE 4TA. GEN. NVME 1.4 MEMORIA NAND FLASH 3D TLC TAMA?O M.2 2280-S2 RENDIMIENTO LECTURA SECUENCIAL (M?XIMA MB/S) 128 KB 7300MB/S ESCRITURA SECUENCIAL (M?XIMA MB/S) 128 KB 6.000 LECTURA ALEATORIA (M?X IOPS) 4 KB QD32 T8 800000IOPS ESCRITURA ALEATORIA (M?XIMA IOPS) 4 KB QD32 T8 1.000.000 DURABILIDAD/FIABILIDAD TOTAL DE BYTES ESCRITOS (TB) 1.275 TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (MTBF HORAS) 1800000 HR SERVICIOS DE RECUPERACI?N DE DATOS 3 RESCUE (A?OS) 3 GARANT?A LIMITADA (A?OS) 5 ADMINISTRACI?N DE ENERG?A CONSUMO DE ENERG?A EN FUNCIONAMIENTO PROMEDIO (W) 6.3 W CONSUMO DE ENERG?A EN REPOSO PS3 PROMEDIO (MW) 20 W BAJO CONSUMO DE CORRIENTE MODO L1.2 (MW) 5 AMBIENTAL TEMPERATURA INTERNA EN FUNCIONAMIENTO (?C) 0 ?C ?0 ?C TEMPERATURA NO EN FUNCIONAMIENTO (?C) -40 ?C ?5 ?C TOLERANCIA A GOLPES NO EN FUNCIONAMIENTO: 0 5 MS (G) 1500 G CARACTER?STICAS ESPECIALES TRIM S? S.M.A.R.T.} S? SIN HAL?GENO S? CUMPLIMIENTO CON ROHS S? DATOS F?SICOS PROFUNDIDAD (MM/PULG. M?X.) 80.15 MM/3.156 PULG. ANCHO (MM/PULG. M?X.) 22.15 MM/0.866 PULG. ALTURA (MM/PULG. M?X.) 2.23 MM/0.088 PULG. PESO (G/LB) 8.1 G/0.017 LB
